總線 | 晶振 | 校時方式 | 精度 | INT輸出 | 溫度補償 | SRAM | ID碼 | 電池電壓測 | ? 封裝形式?? | IIC | 內(nèi)置 | 內(nèi)部GPS | 校時誤差1ms | √ | √ | 70字節(jié) | √ | √ | DIP24 |
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高精度衛(wèi)星校時實時時鐘-SD2522
內(nèi)置衛(wèi)星校時、晶振、充電電池、IIC串行接口、超高精度、支持北斗
概述:
SD2522API是一種具有內(nèi)置GPS校時電路、晶振、IIC串行接口的高精度實時時鐘芯片, CPU可使用該接口通過7位地址尋址來讀寫片內(nèi)122字節(jié)寄存器的數(shù)據(jù)(包括時間寄存器、報警寄存器、控制寄存器、電池電量寄存器、49字節(jié)的用戶SRAM寄存器及8字節(jié)的ID碼寄存器)。SD2522API芯片在無GPS校時的情況下,可保證時鐘精度為±3.8ppm(在25±1℃下),即年誤差小于2分鐘;SD2522API芯片在有GPS校時的情況下,可保證時鐘精度為±1ms;該芯片內(nèi)置充電電池,在電池滿充的情況下內(nèi)部時鐘走時時間一年左右, 累計電量超過550mhA,電池使用壽命為五至八年。
主要性能特點:
>低功耗:時鐘模塊內(nèi)部計時工作0.7uA(VBAT=3.3V,Ta=25℃);SD2522API正常工作典型值135uA(VBAT=3.3V,Ta=25℃);GPS校時時功耗:典型值70mA。
>工作電壓:3.0V~5.5V;工作溫度:工業(yè)級-30℃~+80℃。
>超高精度:GPS校時,時鐘校時誤差小于1ms。
>內(nèi)置GPS電源管理:GPS校時完成后,可以設(shè)置自動關(guān)閉GPS電路電源,減小功耗,也可設(shè)置校時完成后不關(guān)閉而繼續(xù)工作。
>支持GPS、北斗(BD)、格洛納斯(GLONASS)校時定位。
>標準IIC總線接口方式,最高速度400kHZ。
>年、月、日、星期、時、分、秒的BCD碼輸入/輸出,并可通過獨立的地址訪問各時間寄存器。
>閏年自動調(diào)整功能(從2000年~2099年);可選擇12/24小時制式。
>可設(shè)定并自動重置的單路報警中斷功能(時間范圍最長設(shè)至100年),年、月、日、星期、時、分、秒報警共有96種組合方式,并有單事件報警和周期性報警兩種中斷輸出模式。
>周期性頻率中斷輸出:從4096Hz~1/16Hz……1秒共十四種方波脈沖。
>自動重置的8位倒計時定時器,可選從4種時鐘源(4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ),最小定時為244us,最長定時可到31年,通過計算可獲得較精確的毫秒級定時值。
>內(nèi)置8bit轉(zhuǎn)換結(jié)果的數(shù)字溫度傳感器,為了節(jié)省電池電量消耗,設(shè)為VDD模式下60S間隔測溫一次,電池模式600S間隔測溫一次。
>內(nèi)置晶振和諧振電容,模塊內(nèi)部通過高精度補償方法,實現(xiàn)在寬溫范圍內(nèi)高精度的計時功能,其中25℃精度<±3.8ppm。
>49Bytes通用SRAM寄存器可用于存儲用戶的一般數(shù)據(jù)。
>內(nèi)置充電電路,充電型電池累計電量超過550mAh,在電池滿充的常溫情況下內(nèi)部時鐘走時時間在一年左右,電池使用壽命為5~8年;內(nèi)置的充電限流電阻可位選2KΩ、5KΩ和10KΩ三種。
>內(nèi)置電池電壓檢測功能,可讀取當前電池電壓值(三位有效數(shù)),設(shè)置高低電池報警電壓值并從INT腳輸出中斷。
>內(nèi)置IIC總線0.5秒自動復(fù)位功能(從Start命令開始計時),保證時鐘數(shù)據(jù)的有效性及可靠性,避免IIC總線掛死問題。
>模塊依據(jù)不同的電壓自動從VDD切換到VBAT或從VBAT切換到VDD。當模塊檢測到主電源VDD掉到2.4V電壓以下且VDD小于VBAT,模塊會轉(zhuǎn)為由接在VBAT的后備電池供電;當VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,則模塊會轉(zhuǎn)為由VDD供電。(內(nèi)置電源模式指示位PMF,VDD模式時PMF=0,VBAT模式時PMF=1)。
>內(nèi)置VBAT模式IIC總線通信禁止功能,從而避免在電池供電時CPU對時鐘操作所消耗的電池電量,也可避免在主電源上、下電的過程中因CPU的I/O端口所輸出的不受控的雜波信號對時鐘模塊的誤寫操作,進一步提高時鐘模塊的可靠性。
>內(nèi)置三個時鐘數(shù)據(jù)寫保護位, 避免對數(shù)據(jù)的誤寫操作,可更好地保護時鐘數(shù)據(jù)。
>內(nèi)置上電復(fù)位電路及上電指示位RTCF,當包括電池在內(nèi)的所有電源第一次上電時該位置1。
>內(nèi)置電池電壓欠壓指示位BLF,當電池電壓低于2.2V時BLF位置1。
>內(nèi)置停振檢測位OSF,當內(nèi)部振蕩器停止振蕩時該位置1。
>內(nèi)置電源穩(wěn)壓,內(nèi)部計時電壓可低至1.8V。
>內(nèi)置8字節(jié)的ID碼,模塊出廠之前設(shè)定的、全球唯一的身份識別碼。
>模塊管腳 ESD>2KV。
>模塊在興威帆的評估板上可通過4KV的群脈沖(EFT)干擾。
型號列表:
型 號 | 工作電壓 | 校時開電流 | 校時關(guān)電流 | 校時精度 | 內(nèi)置高精度RTC | 電池類別 | GPS校時 | SRAM | RF天線 | 封裝形式 |
SD2522API | 3.0V~5.5V | 64mA | 135uA | 1ms | √ | 充電電池 | √ | √ | 內(nèi)置插針版 | DIP24 |
SD2522APIW | 3.0V~5.5V | 64mA | 135uA | 1ms | √ | 充電電池 | √ | √ | 外置引線版 | DIP24 |
SD4020API | 3.0V~5.5V | 64mA | 20uA | 1ms | √ | 內(nèi)置插針版 | DIP24 | |||
SD4020APIW | 3.0V~5.5V | 64mA | 20uA | 1ms | √ | 外置引線版 | DIP24 |
管腳設(shè)置:
原理框圖:
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